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IXTZ550N055T2
220
200
180
160
Fig. 7. Input Admittance
250
200
T J = - 40oC
Fig. 8. Transconductance
140
120
150
25oC
150oC
100
80
T J = 150oC
25oC
- 40oC
100
60
40
20
0
50
0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
220
300
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of Intrinsic Diode
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
9
V DS = 27.5V
250
200
150
8
7
6
5
4
I D = 275A
I G = 10mA
100
50
0
T J = 150oC
T J = 25oC
3
2
1
0
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
0
100
200
300
400
500
600
100
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
10,000
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Forward-Bias Safe Operating Area
10
Ciss
Coss
1,000
100
R DS(on) Limit
25μs
100μs
1ms
1
0.1
f = 1 MHz
Crss
10
1
T J = 175oC
T C = 25oC
Single Pulse
10ms
100ms
DC
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0
1
10
100
V DS - Volts
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
V DS - Volts
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